太陽能設備-太陽能光伏清洗制絨設備

太陽能設備-太陽能光伏清洗制絨設備
清洗制絨作爲太陽電池生産太陽能設備中的第一個工序，該工序主要用于矽片在擴散前的矽片腐蝕處理。目的是爲了在矽片上獲得表面絨面結構，這種絨面結構對提高晶體矽對光的吸收率有著重要的作用。對于單晶矽來說，采用堿溶液的各向異性腐蝕，即可以在其（１００）面得到理想的絨面結構；而多晶矽由于存在多種不同晶向，采用上面的方法無法獲得均勻的絨面，也不能有效降低多晶矽的反射率。目前，多晶矽絨面技術主要有機械刻槽、激光刻槽、等離子刻蝕（ＲＩＥ）和各向同性酸腐蝕。機械刻槽的工藝方法要求矽片厚度在２００μｍ以上，因爲刻槽的深度一般在５０μｍ的量級上，所以對矽片的厚度要求很高，而這樣的技術會增加成本。

等離子刻蝕制備出矽片表面陷光效果是非常好的，但它需要相對複雜的處理工序和昂貴的加工系統。在矽片表面織構的制作過程中，可能會引入機械應力和損傷，在後處理中形成缺陷。而各向同性酸腐蝕技術可以比較容易地整合到當前的太陽電池處理工序中，它的制作成本基本上是最低的，在大規模工業化生産中，各向同性酸腐蝕是目前廣泛應用的多晶矽太陽電池絨面技術。本章主要討論清洗制絨（堿性制絨和酸性制絨）的基本原理及其清洗制絨設備的主要結構、工藝流程、維護和發展方向。

1晶體矽表面減反射及其制絨原理
3。1．1晶體矽表面減反射原理
在太陽電池中，其能量的損失有兩種類型：光學損失和電學損失，其中光學損失主要體現以下３種方式：
１．矽表面的反射損失，經處理的抛光矽片反射率可達３０％以上；
２．上電極的遮光損失，作爲上電極的金屬柵線要遮掉５％～１５％的入射光；
３．進入矽片能量大于禁帶寬度的光子在電池背面的投射。
３種光學性質的損失中，矽表面的反射損失最多。通過在太陽電池表面制備絨面可以有效降低太陽電池的表面反射率，入射光在電池表面多次反射延長了光程，增加了對紅外光子的吸收（如圖３．１），而且有較多的光子在Ｐ－Ｎ結附近産生光生載流子，從而增加了光生載流子的收集幾率；另外，同樣尺寸的基片，絨面電池的Ｐ－Ｎ結面積較大，可以提高短路電流，轉換效率也有相應的提高。因此，在減少光的損失方面，電池的織構化技術和減反射技術起著重要的作用。
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